光电二极管的饱和光功率是多少?

发布日期:2024-03-28 15:19:44   浏览量 :98
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Si光电二极管的光电流与入射光量具有很好的线性关系。当入射光量在10^-12 W~10^-2 W范围内,可以获得的线性度范围高于九个数量级(取决于光电二极管类型和工作电路等)。线性度的下限由噪声等效功率(NEP)决定,而上限取决于负载电阻、反向电压等,如公式所示。随串联电阻分量增加,线性度降低。

某些情况下,施加反向电压可有效提高线性度的上限,图1-9显示了施加反向电压的连接示例。(a)是光电流通过负载电阻转换为电压并经过放大器放大的示例。当负载电阻较大时,线性度的上限受到限制。所以光电二极管不能连接大的负载电阻,并旦不适用于低光量检测。(b)表示的是光电二极管直接连接到运算放大器输入端,并旦使用反馈电阻(Rf)进行电流到电压的转换。在这种情况下,光电二极管的负载电阻是运算放大器的等效输入电阻,是一个常数。由于运算放大器的输入电阻较低(几欧姆),只要运算放大器输出不饱和,无论反馈电阻设置为多大光电流也不会饱和,因此(b)适合于低光强检测。图11-10显示了线性度上限随反向电压VR的变化情况。虽然可以通过向光电二极管施加反向电压来提高线性度,但同时暗电流和噪声也会增大。并且反向电压过高可

能损坏光电二极管,因此电压不能超过绝对最大额定值,同时要确保阴极相对于阳极保持正电势。

当激光聚焦成一个小光斑时,由于单位面积上光强增大会导致线性度恶化。

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